Актуально

Intel и Micron разрабатывают высокоскоростную флэш-память

Компании Intel и Micron Technology первыми начали разработку флэш-памяти типа NAND, которая использует новый высокоскоростной интерфейс, разработанной группой ONFI (Open NAND Flash Interface). Новая память обеспечит пятикратное увеличение скорости чтения/записи по сравнению с существующими в настоящее время аналогами.

Согласно заявлениям представителей Micron Technologies на данный момент выпущены тестовые образцы флэш-памяти NAND емкостью 8 Гбит, а также более сложные версии емкостью 16 и 32 Гбит. Тестовые образцы имеют скорость чтения и записи данных - 200 и 100 Мб/сек соответственно. Для сравнения, существующие в настоящее время аналоги флэш-памяти имеют скорость чтения/записи - 40 и 20 Мб/сек.

Как утверждают в компании Micron увеличение производительности флэш-памяти повысит скорость передачи данных гибридных жестких дисков, твердотельных накопителей SSD, а также флэш-карт, применяемых в цифровых фотоаппаратах, видеокамерах и других устройствах, особенно после того как станет доступен новый интерфейс USB 3.0.

Массовое производство высокоскоростной флэш-памяти типа NAND начнется во второй половине этого года.